2021.08.12
연세대 물리학과 임성일 교수 연구팀은 새롭게 각광 받고 있는 물질인 β‐Ga2O3 를 사용한 디바이스를 제작하는 실험을 학계에 보고했다.
n-type 인 β‐Ga2O3 와 기존에 알려진 p-type 2D 반도체 물질인 MoTe2 를 이용하여 Schottky 컨택을 구현하여 JFET 동작을 실현하였으며
이를 통해 포토센싱을 빠르게 하는 응용을 보여주었다.
연세대 물리학과 최원준 박사과정생이 주도한 본 연구는 Advanced Materials에 게재되었다.
Author Wonjun Choi, Jongtae Ahn, Ki-Tae Kim, Hye-Jin Jin, Sungjae Hong, Do Kyung Hwang, Seongil Im
Journal Advanced Materials
DOI doi.org/10.1002/adma.202103079
publish 2021 Aug 02